Արտադրանքներ

Si&InGaAs, PIN&APD, ալիքի երկարություն՝ 400-1100 նմ, 900-1700 նմ (հարմար է լազերային հեռաչափման, արագության չափման, անկյան չափման, ֆոտոէլեկտրական հայտնաբերման և ֆոտոէլեկտրական հակազդեցության համակարգերի համար):